InP单晶片品质参数(VGF法生长)







品种直径(inch)类型载流子浓度(cm-3)电子迁移率(cm2/V.s)电阻率(Ω.m)错位密度(cm-2)
InP2N≤1×1016(3.5-4)×103
<1×103
S-InP2N(0.5-1)×1017(2-4)×103
<500
3(0.5-1)×1017(2-4)×103
<1×103
4(0.5-1)×1017(2-4)×103
<2×103
Zn-InP2/3/4P(0.5-1)×101750-70
<1×103
Fe-InP2SI
>2000>0.5×107<2.5×103
3
4
晶片单位面抛光或双面抛光,开盒即用。晶向(100),2英寸片标准厚度350±25μm,3英寸片标准厚度500±25μm,4英寸片标准厚度625±25μm,其他特殊规格根据要求加工。